[发明专利]一种麻疯树的叶盘直接再生方法有效

专利信息
申请号: 200910307813.4 申请日: 2009-09-27
公开(公告)号: CN101658139A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 陈介南;卢孟柱;李玲;刘伯斌 申请(专利权)人: 中南林业科技大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所 代理人: 颜 勇
地址: 410004湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种麻疯树的叶盘直接再生方法。其选取温室中一年生的麻疯树叶片作为外植体,接种于培养基中直接诱导不定芽;培养基为MS基本培养基添加30g·L-1蔗糖、4-8g·L-1琼脂、0.2-2.0mg·L-1TDZ、0.1-1.5mg·L-1IBA、0.05-3mg·L-1BA、0.5-8mg·L-1硝普钠;培养方式:先暗培养10-14d,然后转换至光照条件下培养14-16d;最后将诱导出的不定芽进行延长培养,再进行生根培养后移栽。不定芽诱导率高达88%。本发明旨在为麻疯树的基因改良与组织培养提供麻疯树叶盘高效再生方法。为实现麻疯树的基因转化,快速繁殖奠定基础,推进了麻疯树的产业开发。
搜索关键词: 种麻 直接 再生 方法
【主权项】:
1.一种麻疯树叶盘的直接再生方法,其特征在于,包括:A、选取温室中一年生的麻疯树第2、3、4、5片展开叶片作为外植体,进行表面消毒处理后切成5-10mm2大小;B、将外植体叶盘近轴端朝上接种于培养基中直接诱导不定芽;培养基为MS基本培养基添加30g·L-1蔗糖、4-8g·L-1琼脂、0.2-2.0mg·L-1TDZ、0.1-1.5mg·L-1IBA、0.05-3mg·L-1BA、0.5-8mg·L-1硝普钠;培养方式:先暗培养10-14d,然后转换至光照条件下培养,温度为25±2℃,光照强度为45-55μmol·m-2s-1,光照16h·d-1,培养14-16d;C、将不定芽进行延长培养,再进行生根培养后移栽。
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