[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200910308244.5 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102231413A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，其包括一个导热基板及依次在导热基板表面形成的半导体层、透明电极层和电极接触垫。该半导体层包括p型半导体层、活性层及n型半导体层。透明电极层和电极接触垫设置在n型半导体层的表面。在n型半导体层表面设置有蚀刻孔洞，蚀刻孔洞的分布密度和尺寸沿着远离电极接触垫的方向逐渐变小。在p型半导体层表面设置有电流阻挡层。本发明通过在n型半导体层表面设置渐变分布密度和尺寸的蚀刻孔洞，并配合n型半导体层表面具有互补形状的电流阻挡层，使电流在活性层的分布更加均匀，从而提高芯片的发光效率。本发明还提供了一种发光二极管芯片的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其包括：一个导热基板及依次在导热基板表面形成的半导体层、透明电极层和电极接触垫，该半导体层包括在导热基板上依次层叠设置的p型半导体层、活性层及n型半导体层，透明电极层和电极接触垫设置在n型半导体层的表面，在n型半导体层与活性层相对的表面设置有多个蚀刻孔洞，在最靠近电极接触垫的地方蚀刻孔洞的分布密度最高，沿远离电极接触垫的方向上蚀刻孔洞的分布密度逐渐变小且蚀刻孔洞的尺寸也逐渐变小，在p型半导体层与活性层相对的表面上设置有电流阻挡层，该电流阻挡层的图案与蚀刻孔洞的图案成互补关系。
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