[发明专利]缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法

摘要

缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，然后加热至200℃，再溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降，并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97％以上。

主权项

缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，其特征在于缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，在真空室真空度为2×10-3Pa的条件下将基体加热至200℃，然后在氩气流量为10sccm～20sccm、射频功率为300W、基体负偏压为800V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs的条件下对基体表面进行溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和Cu-Zn金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，其中膜层中第一层和最外层为TiN层，每次在基体表面沉积TiN层的量平均为1.0×1016～2.0×1017个分子/cm2，每次在基体表面沉积金属层的量平均为1.0×1016～1.3×1017个原子/cm2，金属层中Zn的原子百分比为0％～10％，Cu的原子百分比为90％～100％，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜；其中步骤二所述复合偏压中直流电压为80V、耦合脉冲电压为200V、脉冲频率为10kHz、脉冲宽度为30μs；步骤二中Ti靶采用直流磁控溅射电源，溅射电流为0.6A，Cu-Zn靶采用磁控溅射射频电源，射频功率为300W。