[发明专利]一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置有效
| 申请号： | 200910309032.9 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101728826A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨先庆;奥格杰·米历克;周景海 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L29/80;H01L23/62 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌;徐宏 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种采用简单JFET结构的输入浪涌抑制装置及其方法。所述JFET的栅极被钳位至一预设值，其漏极从一输入电源接收一输入电压，其源极连接至一下游装置的输入端且一电阻连接于所述漏极与所述栅极之间或连接于所述源极与所述栅极之间。因此，当漏极电压约等于钳位栅极电压时，源极电压约等于漏极电压。当漏极电压增大，大于钳位栅极电压时，源极电压小于漏极电压。所述下游装置可以是一DC-DC转换器且所述栅极由该DC-DC转换器的使能引脚EN加偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 场效应 晶体管 输入 浪涌 保护装置 | ||
【主权项】：
一种输入浪涌保护装置，其特征在于，包括保护用结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管的漏极接收输入电压，源极耦接至下游装置的输入端，且其栅极被钳位于预设值。
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