[发明专利]一种有机二极管器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910310007.2 申请日: 2009-11-19
公开(公告)号: CN102074653A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;刘兴华 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种有机二极管器件及其制备方法,属于半导体技术领域。所述有机二极管器件,包括衬底、阳极、有机半导体层和阴极,阳极和有机半导体层之间还设置至少一层有机自组装层,有机自组装层由金属有机络合物制成;阳极由除金以外的阳极金属或合金制成。所述方法包括:在衬底上制作阳极;在所述阳极上制作有机自组装层;在所述有机自组装层上制作有机半导体层;在所述有机半导体层上制作阴极;所述有机自组装层由金属有机络合物制成;所述阳极由除金以外的阳极金属或合金制成。本发明的有机二极管器件性能高、稳定性好及成本低,并且制备工艺简单,重复性好。
搜索关键词: 一种 有机 二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种有机二极管器件,包括衬底、阳极、有机半导体层和阴极,其特征在于:所述阳极和所述有机半导体层之间还设置至少一层有机自组装层,所述有机自组装层由金属有机络合物制成;所述阳极由除金以外的阳极金属或合金制成。
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