[发明专利]电子装置外壳及其制作方法无效
| 申请号： | 200910310134.2 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102076186A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘月平;苏向荣;赖文德;刘友利 | 申请（专利权）人： | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
| 主分类号： | H05K5/00 | 分类号： | H05K5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子装置外壳，其包括一基体及一不透光的遮蔽层，该基体包括一内表面及与该内表面相对的外表面，其特征在于：该内表面一侧形成有若干凹槽，所述凹槽具有所需图案的造型，该基体由透光材质制成，该透光材料主要由重量百分含量为70％～80％的氧化铝、10％～20％的氧化硅、5％～10％的氧化铬及0.3％～0.6％的氮化硅组成，该遮蔽层形成于该内表面除所述凹槽以外的区域。本发明还提供一种上述电子装置外壳的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 外壳 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电子装置外壳，其包括一基体及一不透光的遮蔽层，该基体包括一内表面及与该内表面相对的外表面，其特征在于：该内表面一侧形成有若干凹槽，所述凹槽具有所需图案的造型，该基体由透光材质制成，该透光材料主要由重量百分含量为70％～80％的氧化铝、10％～20％的氧化硅、5％～10％的氧化铬及0.3％～0.6％的氮化硅组成，该遮蔽层形成于该内表面除所述凹槽以外的区域。
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