[发明专利]硼氮纳米线/半导体氧化物复合材料及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200910311070.8 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101718733A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 史克英;付宏刚;夏廷亮;张连萍;刘艳伟 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 硼氮纳米线/半导体氧化物复合材料及其制备方法和应用，它涉及纳米材料/氧化物复合材料及其制备方法和应用。本发明解决了现有的检测氮氧化合物气体的敏感材料在室温下灵敏度低的问题。本发明的复合材料由硼氮纳米线、过渡金属盐和沉淀剂制成；其中硼氮纳米线由催化剂和含硼材料在氨气氛中制成；方法：催化剂和含硼材料研磨后在氨气氛中高温合成硼氮纳米线，再提纯、分散于金属硝酸盐溶液中，再经沉淀剂改性、干燥、烧结得到硼氮纳米线/半导体氧化物复合材料。本发明的复合材料是作为敏感材料应用于氮氧化合物气体的检测，该材料室温下可检测的氮氧化合物气体的摩尔浓度低至48.5ppb，灵敏度≥10％，灵敏度高，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 半导体 氧化物 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
硼氮纳米线/半导体氧化物复合材料，其特征在于硼氮纳米线/半导体氧化物复合材料由硼氮纳米线、过渡金属盐和沉淀剂制成；其中硼氮纳米线与过渡金属盐的质量比1∶2～25；过渡金属盐与沉淀剂的摩尔比为1∶1～5；所述的硼氮纳米线是由按质量份数比1份的催化剂和3～6.5份的含硼材料在氨气气氛中制成的。
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