[发明专利]场效应晶体管制造方法

摘要

本发明涉及场效应晶体管制作技术，特别涉及氮化镓基微波功率场效应器件衬底减薄的方法。本发明针对现有技术的场效应晶体管制造方法中衬底减薄技术的缺点，公开了一种场效应晶体管制造方法，改进其衬底减薄技术，以适应高硬度衬底材料的减薄，提高衬底加工工艺质量，改进衬底质量，提高器件整体性能。本发明的场效应晶体管制造方法，在场效应晶体管制造工艺过程中，利用等离子体对碳化硅等场效应晶体管高硬度衬底进行刻蚀减薄。能够避免晶圆破裂，提高衬底减薄的质量，特别适合氮化镓基场效应晶体管器件的制造工艺。

主权项

场效应晶体管制造方法，包括以下步骤：步骤A、制作管芯完成器件；步骤B、涂覆保护层保护晶圆正面和管芯，将晶圆正面倒扣粘贴在衬托上；步骤C、将扣上晶圆的衬托放入等离子体刻蚀机腔体内，利用等离子体对衬底进行刻蚀减薄；步骤D、将晶圆从衬托上取下；步骤E、采用背金技术，在衬底上形成管芯的背金结构。