[发明专利]改进的硅片激光切割减薄工艺无效

专利信息
申请号: 200910311656.4 申请日: 2009-12-16
公开(公告)号: CN101733557A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 贾礼卫;李政;陈鸿吉 申请(专利权)人: 无锡菱光科技有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B24B37/04
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 顾吉云
地址: 214028 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及改进的硅片激光切割减薄工艺,其能保证硅片的切割质量,并能提高产能、降低生产成本。其包括背面研磨、激光切割工序,其特征在于:首先对硅片进行所述激光切割工序,然后再对硅片进行背面研磨。
搜索关键词: 改进 硅片 激光 切割 工艺
【主权项】:
改进的硅片激光切割减薄工艺,其包括背面研磨、激光切割工序,其特征在于:首先对硅片进行所述激光切割工序,然后再对硅片进行背面研磨。
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