[发明专利]有机场效应晶体管阈值电压的调制方法有效

专利信息
申请号: 200910311849.X 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN102104113A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 商立伟;刘明;姬濯宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,该方法包括:提供有机场效应晶体管;根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层;对有机场效应晶体管施加电压脉冲;经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源。通过本发明的上述技术方案,解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂,自由度低的问题,并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间,该方法自由度大,易于调整有机场效应晶体管。
搜索关键词: 有机 场效应 晶体管 阈值 电压 调制 方法
【主权项】:
一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法,其特征在于,所述方法包括:提供有机场效应晶体管;根据所需阈值电压利用光源辐照所述有机场效应晶体管的有机半导体层;对所述有机场效应晶体管施加电压脉冲;经过预定时间后,先后或同时撤销电压脉冲与光源。
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