[发明专利]高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法，属于微波器件中二极管技术领域。所述变容二极管包括半导体绝缘砷化镓衬底，在半导体绝缘砷化镓衬底上部的高掺杂的N+型层，以及在N+型层上部的N型层；在N+型层上部生长有欧姆接触下电极以及与欧姆接触下电极相连的下电极引线；在N型层的上部生长有肖特基接触上电极以及与肖特基接触上电极相连的上电极引线。本发明还提供了一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管的制作方法。本发明的变容二极管的变容比高、非线性强，有利于毫米波倍频电路输出功率的提高，且有很好的高频特性；本发明的变容二极管的结构灵活，易于应用在倍频电路中，且不需要大体积的载体器件。

主权项

一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管，其特征在于，所述变容二极管包括半导体绝缘砷化镓衬底，在所述半导体绝缘砷化镓衬底上部的高掺杂的N+型层，以及在所述N+型层上部的N型层；在所述N+型层上部生长有欧姆接触下电极以及与所述欧姆接触下电极相连的下电极引线；在所述N型层的上部生长有肖特基接触上电极以及与所述肖特基接触上电极相连的上电极引线。