[发明专利]一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域的一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器，包括硅衬底，淀积在硅衬底上的GeSi渐变掺杂缓冲层、Ge1-xSix舒缓层和应变硅层，位于硅衬底中两侧的轻掺杂漏极及源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的遂穿介质层，覆盖在遂穿介质层上的纳米晶电荷存储层，覆盖在纳米晶电荷存储层上的控制栅介质层，覆盖在控制栅介质层上的栅电极材料层。本发明利用应变硅提高迁移率，从而增加读电流，简化外围电路；本发明由于采用了纳米晶作为浮栅材料，使存储器件的性能得到提高，特别是存储窗口、编程/擦除速度、数据保持特性等存储性能获得综合性的提高。

主权项

一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器，其特征在于：包括硅衬底，淀积在硅衬底上的GeSi渐变掺杂缓冲层、Ge1‑xSix舒缓层和应变硅层，位于硅衬底中两侧的轻掺杂漏极及源导电区和漏导电区，源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的遂穿介质层，覆盖在遂穿介质层上的纳米晶电荷存储层，覆盖在纳米晶电荷存储层上的控制栅介质层，覆盖在控制栅介质层上的栅电极材料层。