[发明专利]一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法有效
| 申请号： | 200910312966.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101780943A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 赵华波;张朝晖;傅云义;张岩;李彦;严峰;应轶群 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 尺度 氧化 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，包括如下步骤：1)在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管；2)在上述碳纳米管上沉积一层氧化硅；3)用腐蚀溶液刻蚀掉上述氧化硅层，在氧化硅衬底上得到纳米尺度的沟槽。
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