[实用新型]一种制备多晶硅薄膜的装置无效
| 申请号： | 200920028480.7 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201444476U | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘丰 | 申请（专利权）人： | 济宁凯伦光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;C30B28/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 273517 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种制备多晶硅薄膜的装置，包括一个中转工作室，所述中转工作室分别连接有一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体，中转工作室还可以连接有第二加载互锁真空腔体，所述中转工作室内部为真空状态。本实用新型既能形成无氢的非晶硅薄膜，又能形成膜质良好的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种制备多晶硅薄膜的装置，其特征在于，包括一个中转工作室，所述中转工作室分别连接有一个化学气相沉积工作室、一个物理气相沉积工作室和第一加载互锁真空腔体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济宁凯伦光伏材料有限公司，未经济宁凯伦光伏材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920028480.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有保温性能的太阳能光伏组件
- 下一篇：高压供电储能装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
