[实用新型]一种多晶硅干法腐蚀装置无效
| 申请号： | 200920028482.6 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201442991U | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘丰 | 申请（专利权）人： | 济宁凯伦光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 273517 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多晶硅干法腐蚀装置，所述装置包括一个扩散器，所述扩散器的一端连接有相互并联后的腐蚀气源供气装置和载气气源供气装置，所述扩散器的另一端连接于内部设置有载物台的处理室的顶端，所述处理室的壳体外部设置有加热装置，所述处理室连接有真空泵。本实用新型能够利用调节向其中输送腐蚀气体的处理室内部的处理环境，例如内部压力、温度等，在不产生等离子体的情况下仅使用反应气体，对多晶硅进行各向同性干法腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅干法 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅干法腐蚀装置，其特征在于，所述装置包括一个扩散器，所述扩散器的一端连接有相互并联后的腐蚀气源供气装置和载气气源供气装置，所述扩散器的另一端连接于内部设置有载物台的处理室的顶端，所述处理室的壳体外部设置有加热装置，所述处理室连接有真空泵。
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