[实用新型]CGC单晶硅晶体生长控制器无效
申请号: | 200920032970.4 | 申请日: | 2009-05-06 |
公开(公告)号: | CN201390804Y | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 丁积军;李阳 | 申请(专利权)人: | 西安恒新自动控制有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710065陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 单晶硅晶体生长控制器,其特征在于,包括工控机9、单晶炉CGC2000控制器10、单晶炉电机11、加热器12和晶体生长监控单元13,工控机9采用触摸屏使得控制操作更加友好化;晶体生长监控单元13对单晶炉CGC2000控制器10进行实时监控,这样可以减少人力物力的投入并使得控制操作更加方便,具有测量数据精确和安全的特点。 | ||
搜索关键词: | cgc 单晶硅 晶体生长 控制器 | ||
【主权项】:
1、单晶硅晶体生长控制器,其特征在于,包括工控机(9)、单晶炉CGC2000控制器(10)、单晶炉电机(11)、加热器(12)和晶体生长监控单元(13),单晶炉CGC2000控制器(10)包括直径控制器(1)、温校控制器(2)、晶升速度单元(3)、埚升速度单元(4)、晶转埚转速度单元(5)、温校控制设定单元(6)、程序控制曲线单元(7)和晶体重量计算模块(8),直径控制器(1)的输出端和晶升速度单元(3)的输入端、埚升速度单元(4)的输入端相连,温校控制器(2)输出端与程序控制曲线单元(7)的输入端、温校控制设定单元(6)的输入端相连,晶升速度单元(3)的输入端、埚升速度单元(4)的输入端与程序控制曲线单元(7)的输出端相连,晶转埚转速度单元(5)的输入端与程序控制曲线单元(7)的输入端相连,温校控制设定单元(6)的输出端与加热器(12)相连,晶转埚转速度单元(5)的输出端、晶升速度单元(3)的输出端、埚升速度单元(4)的输出端与单晶炉电机(11)相连,直径控制器(1)、温校控制器(2)、晶体重量计算模块(8)的输入端与工控机(9)的输出端相连,单晶炉CGC2000控制器(10)的输出端与晶体生长监控单元(13)的输入端相连。
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