[实用新型]一种新型的高压MOS管

摘要

本实用新型提供一种新型的高压MOS管，包括漏极区域1，N+衬底区域2，N-漂移区域3，P-阱区域4，P+区域5，N+有源区域6，源极区域7，栅极区域8，其特征是在N-漂移区域3的上部设有JFET区域，P-阱区域4具有浅结深，栅极区域8是短栅极。本实用新型具有和国外同类产品同样品质，但成本更低，能够控制产品质量和稳定产品成品率，并且能达到产量要求。

主权项

1、一种新型的高压MOS管，包括漏极区域(1)，N+衬底区域(2)，N-漂移区域(3)，P-阱区域(4)，P+区域(5)，N+有源区域(6)，源极区域(7)，栅极区域8，其特征是在N-漂移区域(3)的上部设有JFET区域，P-阱区域(4)具有浅结深，栅极区域(8)是短栅极。