[实用新型]一种加膜硅基太阳能电池无效
申请号: | 200920041473.0 | 申请日: | 2009-03-31 |
公开(公告)号: | CN201638824U | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 吴国强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体,所述的电池主体背场涂覆有一层铝层,所述的铝层背面设置有一层辅助增加膜。本实用新型通过对铝背场硅电池的背面添加背膜,对低厚度硅晶太阳能电池保证正常性能不受影响的基础上,可在一定程度上加强铝背膜上颗粒的整体性,减弱背膜的颗粒易脱落现象,同时对电池性能及其他结构不产生改变。 | ||
搜索关键词: | 一种 加膜硅基 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种加膜硅基太阳能电池,具有电池主体(1),所述的电池主体(1)背场涂覆有一层铝层(2),其特征在于:所述的铝层(2)背面设置有一层辅助增加膜(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的