[实用新型]一种高灵敏度微压力传感器芯片有效
| 申请号： | 200920041807.4 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN201508260U | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王树娟;何宇亮 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了所述一种高灵敏度微压力传感器芯片。其易加工、生产成本低，且精度高、稳定性好。其包括硅基衬底、复合绝缘膜、纳米硅力敏电阻、内引脚线、绝压腔，所述硅基衬底的正反面装有复合绝缘膜，所述上层复合绝缘膜上有纳米硅力敏电阻，所述纳米硅力敏电阻引出内引脚线，所述硅基衬底的底部为背大膜区和背岛，所述硅基衬底的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔，所述纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种高灵敏度微压力传感器芯片，其包括硅基衬底、复合绝缘膜、纳米硅力敏电阻、内引脚线、绝压腔，所述硅基衬底的正反面装有复合绝缘膜，所述上层复合绝缘膜上有纳米硅力敏电阻，所述纳米硅力敏电阻引出内引脚线，所述硅基衬底的底部为背大膜区和背岛，所述硅基衬底的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔，所述纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市纳微电子有限公司，未经无锡市纳微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920041807.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
