[实用新型]高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器有效
| 申请号： | 200920044049.1 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN201498573U | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 翟国华;洪伟;吴柯 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P3/16;H01P3/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 211109 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器自上至下分别为正面金属贴片(3)、上层介质基片(1)、中间金属层(4)、下层介质基片(2)、底层金属层(5)；是一种用来解决微波毫米波滤波器的集成问题的高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器，它相对于原有的半模基片集成波导滤波器体积更小，这种滤波器具有易于集成、损耗低、结构简单的特点，适合于微波毫米波集成电路的设计；这种折叠半模基片集成波导与微带结构相比较具有较高的Q值，较低的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 半模基片 集成 波导 滤波器 | ||
【主权项】：
一种高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器，其特征在于该滤波器为多层结构，自上至下分别为正面金属贴片(3)、上层介质基片(1)、中间金属层(4)、下层介质基片(2)、底层金属层(5)；在半模基片集成波导滤波器的两端分别设有输入端(8)和输出端(9)，在半模基片集成波导滤波器的上层介质基片(1)和下层介质基片(2)的一侧设有一排第一金属化通孔(7)构成半模基片集成波导滤波器的侧壁，并连接正面金属贴片(3)、中间金属层(4)和底层金属层(5)；在下层介质基片(2)的另一侧有另一排第二金属化孔(6)连接中间金属层(4)和底层金属层(5)构成半模基片集成波导滤波器的H面金属壁；在半模基片集成波导滤波器正面金属贴片(3)或中间金属层(4)上设有槽缝(10)。
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