[实用新型]硅片离心脱水架无效
| 申请号： | 200920045487.X | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN201449994U | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 周永清 | 申请（专利权）人： | 宜兴市鼎科电子电力器材厂 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/673 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所 32228 | 代理人： | 方为强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅片离心脱水架，其特征在于包括外架及内架，使用时，内架嵌装在外架中；所述内架包括铰接在一起的左架及右架，左架及右架上分别设有相对的多个V形容片槽，左架及右架的侧壁外分别设有楔块，左架及右架后部的相应位置上分别设有止块，左架及右架的侧壁开设有通孔。本实用新型结构简单，使用方便，采用内架及外架的结构，构成内架的左、右架铰接并在左、右架的外侧壁上设有楔块，并采用V形容片槽，从而消除硅片与容片槽之间的间隙，减少硅片由于脱水过程中的振动而引起的破损，提高硅片生产的合格率，降低硅片的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 离心 脱水 | ||
【主权项】：
一种硅片离心脱水架，其特征在于：包括外架及内架，使用时，内架嵌装在外架中；所述外架为单面开口的长方体，外架的侧面及底面上开有多个脱水孔，两个相对的侧面外侧设有挂杆；所述内架包括铰接在一起的左架及右架，左架及右架上分别设有相对的多个V形容片槽，左架及右架的侧壁外分别设有楔块，左架及右架后部的相应位置上分别设有止块，左架及右架的侧壁开设有通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
