[实用新型]氮化镓基大功率芯片散热结构无效
| 申请号： | 200920060270.6 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN201438472U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张珠文;袁富胜;李宏彦;王维昀 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/32;H01S5/024 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523082 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，涉及大功率芯片技术领域；本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层；本实用新型增加散热金属层，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速散发出去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 大功率 芯片 散热 结构 | ||
【主权项】：
氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，其特征在于，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层。
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