[实用新型]网格阵列二极管无效
| 申请号： | 200920074467.5 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN201466028U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 马晓琳;崔文兵;童红亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种网格阵列二极管，包括：纵向NPN管基极与集电极通过金属连线短接的单元二极管；单元二极管为正方形元胞，呈网格状交错排列，并联为一个整体大功率二极管；单元二极管的负极由NPN管发射极组成；单元二极管的正极由NPN管基极和集电极组成；单元二极管的负极在中间低压N阱区域，正极包在四周，属于高压P阱区域；相邻二极管单元公用上下左右正极，组成网格状有源区，每个网格中心是单元二极管的负极；网格阵列PN结二极管以单元二极管的负极中心呈对称分布；所有单元管集电极公用，包围在网格阵列PN结二极管的外边N外延区域。本实用新型当电压正向导通工作时实现大电流通过，低功耗，低衬底漏电，高反向耐压等功能。 | ||
| 搜索关键词： | 网格 阵列 二极管 | ||
【主权项】：
一种网格阵列二极管，其特征在于，包括：纵向NPN管基极与集电极通过金属连线短接的单元二极管；单元二极管为正方形元胞，呈网格状交错排列，并联为一个整体大功率二极管；单元二极管的负极由NPN管发射极组成；单元二极管的正极由NPN管基极和集电极组成；单元二极管的负极在中间低压N阱区域，正极包在四周，属于高压P阱区域；相邻二极管单元公用上下左右正极，组成网格状有源区，每个网格中心是单元二极管的负极；网格阵列PN结二极管以单元二极管的负极中心呈对称分布；所有单元管集电极公用，包围在网格阵列PN结二极管的外边N外延区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
