[实用新型]边缘不对称倒角单晶片有效
| 申请号： | 200920093957.X | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN201514935U | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 商亚峰;姚志勇;常江;李昱鑫 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 边缘不对称倒角单晶片属于半导体器件制造技术领域。现有单晶片边缘倒角为对称倒角，当将单晶片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成不对称倒角，这种不对称倒角应力大，容易导致崩边、暗纹碎片，碎片率上升，成本增加。本实用新型所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层和保留层，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层和保留层相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角和保留层倒角，保留层倒角为对称倒角。本实用新型应用于半导体器件制造领域中的衬底片加工工序中。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 不对称 倒角 晶片 | ||
【主权项】：
一种边缘不对称倒角单晶片，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层(4)和保留层(5)，其特征在于，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层(4)和保留层(5)相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角(6)和保留层倒角(7)，保留层倒角(7)为对称倒角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
