[实用新型]新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块有效
| 申请号： | 200920116978.9 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN201508835U | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;金晓行;姚礼军;张宏波;沈华 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/48;H01L23/13 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 沈志良 |
| 地址： | 314000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。本实用新型具有兼容性好，应用的电流范围大，生产成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 直接 敷铜基板 布局 绝缘 极性 晶体管 模块 | ||
【主权项】：
一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板，每块直接敷铜基板都由门极、集电极和发射极组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴斯达微电子有限公司，未经嘉兴斯达微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920116978.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
