[实用新型]一种静电保护电路无效
| 申请号： | 200920129513.7 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN201536104U | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吴微;何志强;杨云;冯卫 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种静电保护电路，包括与静电点连接的至少一个N型场效应管(NMOS)，其中，还包括串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。本实用新型NMOS栅极与所述电阻和电容的连接节点连接，通过RC耦合作用就会使场效应管内部的衬底电流增加，降低了NMOS静电保护的开启电压，提高了静电保护电路对ESD的响应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电保护电路，包括与静电点连接的至少一个N型场效应管NMOS，其特征在于，还包括串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点连接，源极和衬底分别与地连接、栅极与所述电阻和电容的连接节点连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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