[实用新型]超快恢复二极管有效
| 申请号： | 200920132924.1 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN201438466U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 谭楠;高燕辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L25/07;H01L23/12;H01L23/49;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种超快恢复二极管，所述超快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述超快恢复二极管的反向恢复时间为20-40ns，反向击穿电压为180V-300V。所述超快恢复二极管的反向击穿电压比传统的二极管要高，反向恢复时间比传统的二极管要短，可以很好的满足实际工作的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述超快恢复二极管的反向恢复时间为20-40ns，反向击穿电压为180V-300V。
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