[实用新型]具有静电放电装置的探针检测机台有效
申请号: | 200920148342.2 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN201490168U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 陈正雄;刘衍庆;曾家彬;林怡彦 | 申请(专利权)人: | 中茂电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H02H9/00;G01R31/26;G01R31/12;G01R1/24 |
代理公司: | 北京明和龙知识产权代理有限公司 11281 | 代理人: | 郁玉成 |
地址: | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种具有静电放电装置的探针检测机台,以静电冲击并检测具有至少二个受测端的待测半导体元件的电气性能和静电耐受能力。它包括:基座;可提供高压静电冲击讯号至该待测半导体元件的至少二受测端的静电放电装置;对应该基座的探针检测装置,包括至少一个压力导接组件,其分别具有供电气接触而可供应预定致能讯号至该待测半导体元件至少一个受测端的金属探针;接收该待测半导体元件受该预定致能讯号时的输出资料的处理装置;及具有一对传输线,且该对传输线具有低于预定数值的阻抗值、使得该静电放电装置输出并传输至该探针检测装置的金属探针的高压静电冲击讯号阻尼振荡是低于预定范围的传输装置。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 装置 探针 检测 机台 | ||
【主权项】:
一种具有静电放电装置的探针检测机台,是供以静电冲击并检测具有至少二个受测端的待测半导体元件,该机台包括:基座;可提供高压静电冲击讯号至该待测半导体元件的至少二受测端的静电放电装置;其特征在于,该机台还包括:对应该基座的探针检测装置,包括至少一个压力导接组件,其分别具有供电气接触而可供应预定致能讯号至该待测半导体元件至少一个受测端的金属探针;接收该待测半导体元件受该预定致能讯号时的输出资料的处理装置;及具有一对传输线,且该对传输线具有低于预定数值的阻抗值、使得该静电放电装置输出并传输至该探针检测装置的金属探针的高压静电冲击讯号阻尼振荡(damped oscillation)是低于预定范围的传输装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造