[实用新型]一种反并联双二极管无效
| 申请号： | 200920154498.1 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN201478303U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 袁建军 | 申请（专利权）人： | 南通久旺电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 钟廷良;李慧芳 |
| 地址： | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。以上结构的优点在于：它可以单独封装成DO-15，DO-41标准的轴向二极管外形，也可以与固体放电管芯或TVS管芯片叠加烧结一起封装成反并联双二极管集成产品。最大的优点还在于节约空间，减少所占面积，适应电子产品追求小巧的趋势，能够适用于高频电子通信设备的电容值小于5pf的低电容固体放电管。具有广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 二极管 | ||
【主权项】：
一种反并联双二极管芯片，其特征在于：所述芯片为反并联集成芯片，结构为在芯片载体上设置两个反向排列的PN结芯片A、B，两芯片中间有隔离带，隔离带两端覆盖二氧化硅保护层，PN结两端引出部分通过金属层连接形成芯片A、B反并联。
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