[实用新型]用于功率半导体器件的控制器件有效

专利信息
申请号: 200920166723.3 申请日: 2009-07-31
公开(公告)号: CN201577025U 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: M·卢舍 申请(专利权)人: ABB瑞士有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;王丹昕
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 实用新型公开一种用于功率半导体器件的控制器件。用于控制高电流的系统(300)提供有用于功率半导体器件(302)的控制器件(301)。控制器件(301),特别是IGCT门极驱动器,设计成用于控制功率半导体器件(302)的电流流动并且包括用于连接控制器件(301)到功率半导体器件(302)的连接(303)。用于门极驱动器通过连接门极驱动器到晶闸管的多层连接来控制例如该晶闸管的功率半导体器件。该连接(303)设计成用于提供一定水平的电感以致不需要在功率半导体器件(302)周围增加缓冲器电路以限制在功率半导体器件(302)的关断时电压的升高使得功率半导体器件(302)不被破坏。
搜索关键词: 用于 功率 半导体器件 控制 器件
【主权项】:
一种用于功率半导体器件(302)的控制器件(301),包括:连接(303);其中所述控制器件(301)设计成用于控制所述功率半导体器件(302)的电流流动;其中所述连接(303)将所述控制器件(301)连接到所述功率半导体器件(302);其中所述连接(303)提供一定水平的电感,以致不需要在所述功率半导体器件(302)周围增加缓冲器电路以限制在所述功率半导体器件(302)的关断时电压的升高。
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