[实用新型]光罩掩模有效
申请号: | 200920208081.9 | 申请日: | 2009-08-18 |
公开(公告)号: | CN201562121U | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 舒强;顾一鸣 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型的光罩掩模包括不透明区域和透明区域,所述透明区域包围不透明区域。本实用新型的光罩掩模将不透明区域设置在中间,透明区域包围不透明区域,符合仅仅遮蔽光罩中间部分的实际需要;不透明区域其大小、位置和形状可根据实际情况作调整,使得光罩掩模的适用性强。 | ||
搜索关键词: | 光罩掩模 | ||
【主权项】:
一种光罩掩模,包括不透明区域和透明区域,其特征在于,所述透明区域包围不透明区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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