[实用新型]镀膜工艺中用于放置薄片的装置无效
| 申请号： | 200920214732.5 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN201741678U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 沈国荣;张凯;四建方;孔慧 | 申请（专利权）人： | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种镀膜工艺中用于放置薄片的装置，对现有的半导体或者太阳能生产的镀膜工艺中用于放置薄片的装置进行改良，具体为：在现有的基板上，采用凹槽设计，取消了导钉，根据薄片的尺寸，制作多个标准尺寸凹槽，更大程度的利用了镀膜的面积。本实用新型因为取消了导钉，避免了镀膜过程中由于导钉的阻挡而在镀膜片上留下斑点以及装片和取片时导钉容易划伤或者碰碎薄片的问题。而且由于采用了标准尺寸凹槽，在相同尺寸的基板上，可以提高产能，减少了制造成本和日常维护成本。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 工艺 用于 放置 薄片 装置 | ||
【主权项】：
一种镀膜工艺中用于放置薄片的装置，包括基板，其特征在于：在基板上取消了导钉，均匀设置多个标准尺寸的凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交大泰阳绿色能源有限公司，未经上海交大泰阳绿色能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920214732.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种SOC估值方法及其系统
- 下一篇：用于测试信号路径的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
