[实用新型]功率电晶体的封装构造无效
| 申请号： | 200920216742.2 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN201514937U | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梁伟成;林昶伸 | 申请（专利权）人： | 芯巧科技股份有限公司;梁伟成 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率电晶体的封装构造，其包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。此外，本实用新型还可加设至少一汲极，设置于该基板的第一表面。其有利于缩小功率电晶体的厚度尺寸，从而进一步降低功率电晶体的串联电阻，并可减少功率电晶体在使用的过程当中所产生的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 电晶体 封装 构造 | ||
【主权项】：
一种功率电晶体的封装构造，其特征在于包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。
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