[实用新型]一种改进的半导体芯片载体无效
申请号: | 200920216932.4 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN201549497U | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 沈幕禹 | 申请(专利权)人: | 绍兴华立电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/13 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 312000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种改进的半导体芯片载体,它包括有绝缘膜和固定在绝缘膜上的多块铜极片,其中,所述铜极片侧面整体以直角状与绝缘膜过渡。由于铜极片侧面与绝缘膜表面整体以直角状过渡,增大了相邻两块铜极片之间的距离,相邻的铜极片不容易因接触而短路,使得半导体芯片载体的工作更为稳定可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 半导体 芯片 载体 | ||
【主权项】:
一种改进的半导体芯片载体,它包括有绝缘膜(10)和固定在绝缘膜(10)上的多块铜极片(20),其特征在于:所述铜极片(20)侧面(21)整体以直角状与绝缘膜(10)表面过渡。
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