[实用新型]一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置有效
| 申请号： | 200920222432.1 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN201562674U | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;马涛;王成刚;朱西安 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L31/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人： | 郭禾 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，所述装置包括：靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。本实用新型通过上述装置对碲镉汞器件进行增透膜层生长，由于设置有压片，在需要保护的读出电路没有生长上增透膜层，保证了器件的电学连通，并且没有对探测器器件产生附加损伤，达到了良好的无损伤生长目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碲镉汞 器件 增透膜 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述装置包括：靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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