[实用新型]一种平面磁控溅射装置有效
| 申请号： | 200920222583.7 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN201534876U | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马海船 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面磁控溅射装置，属于真空镀膜领域，为解决现有技术中平面磁控溅射装置的靶材利用率低的问题而设计。所述平面磁控溅射装置包括腔体，在所述腔体内依次设有基板、掩模板框架、靶材，在所述基板与所述靶材之间靶材刻蚀严重的相应区域设有附加电位板；所述附加电位板与所述基板和所述掩模板框架绝缘。所述磁控溅射装置可用于真空镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种平面磁控溅射装置，包括腔体，在所述腔体内依次设有基板、掩模板框架、靶材，其特征在于：在所述基板与所述靶材之间靶材刻蚀严重的相应区域设有附加电位板；所述附加电位板与所述基板和所述掩模板框架绝缘。
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