[实用新型]PECVD用硅片载片器的转换装置无效
申请号: | 200920234839.6 | 申请日: | 2009-08-07 |
公开(公告)号: | CN201495286U | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 尤耀明 | 申请(专利权)人: | 无锡绿波新能源设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;H01L31/18;H01L31/20;H01J37/02;H01J37/32 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214092 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种PECVD用硅片载片器的转换装置,其包括正方形的框体,框体的边长与第一种规格的硅片载片器的边长相等,框体内设置有正方形内孔,内孔的边长与第二种规格的硅片载片器的边长相等。本实用新型安装于第一种规格的硅片载片器内,将第一种规格的硅片载片器转换为第二种规格的硅片载片器,用于生产第二种规格的产品,可以节省采购成本;拆除本实用新型后,又可以生产第一种规格的产品,转换方便。 | ||
搜索关键词: | pecvd 硅片 载片器 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种PECVD用硅片载片器的转换装置,包括正方形的框体(3),其特征是:所述框体(3)的边长与第一种规格的硅片载片器的边长相等,所述框体(3)内设置有方形内孔(4),所述方形内孔(4)的边长与第二种规格的硅片载片器的边长相等。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的