[实用新型]扁平式封装双场效应晶体管器件无效

专利信息
申请号: 200920235067.8 申请日: 2009-08-04
公开(公告)号: CN201478306U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 沈富德 申请(专利权)人: 沈富德
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213024 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管器件。它具有环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内的引线框架和场效应晶体管芯片,引线框架上设有引脚,引脚从环氧树脂封装体同侧伸出,环氧树脂封装体为扁平状,场效应晶体管芯片分为第一芯片和第二芯片,第一芯片和第二芯片均设置在引线框架上,引脚为五个引脚,第一引脚为第一芯片和第二芯片的公共电极,第二引脚与为第二芯片的控制栅极,第三引脚为第二芯片的漏极,第四引脚为第一芯片的控制栅极,第五引脚与第一芯片相连构成第一芯片的源极。它结构扁平,体积小巧,适合线路板的安装使用;相对于一般封装模块,体积大大减小,生产工艺简单,因此生产成本降低,适合批量生产。
搜索关键词: 扁平 封装 场效应 晶体管 器件
【主权项】:
一种扁平式封装双场效应晶体管器件,具有环氧树脂封装体(1)以及封装在环氧树脂封装体(1)内的引线框架(2)和场效应晶体管芯片(3),引线框架(2)上设有引脚,引脚从环氧树脂封装体(1)同侧伸出,其特征是:环氧树脂封装体(1)呈扁平状,场效应晶体管芯片(3)分为第一芯片(31)和第二芯片(32),第一芯片(31)和第二芯片(32)均设置在引线框架(2)上,引脚为五个引脚(21、22、23、24、25),第一引脚(21)是第一芯片(31)的漏极和第二芯片(32)的源极,他作为公共电极,第二引脚(22)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的控制栅极,第三引脚(23)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的漏极,第四引脚(24)与第一芯(31)片电连接构成第一芯片(31)的控制栅极,第五引脚(25)与第一芯片(31)电连接构成第一芯片(31)的源极。
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