[实用新型]一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈有效
| 申请号： | 200920277758.4 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201545933U | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 韩海建;梁书正;梁开金;闫志瑞;谷宇恒 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/24 | 分类号： | C30B13/24 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈，它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈，所述的金属块可为铜金属块，铜金属块可通过销钉或螺丝与主体固定。本实用新型的优点是：在单晶生长过程中，平板线圈上的铜金属块对磁场有改善效果，铜金属块周围磁力线会受到铜金属块的抬升作用，同时使得铜金属块周围和线圈边缘处的磁力线密度增加，可以对多晶棒边缘更好的加热，从而防止多晶棒边缘处出刺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔法 生长 单晶硅 高频 加热 线圈 | ||
【主权项】：
一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈，其特征在于：它包括：线圈主体及在主体上的金属块，线圈主体为普通的平板线圈。
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