[实用新型]一种碳纳米管-电极结构及基于该结构的温度传感器芯片无效
| 申请号： | 200920288330.X | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201653962U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 董再励;于海波;王越超;田孝军;曲艳丽;李文荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | G01N27/18 | 分类号： | G01N27/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种碳纳米管-电极结构及基于该结构的温度传感器芯片，包括基底、碳纳米管、电极，所述电极成对设置在基底上，所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。碳纳米管具有良好的导热性，并且金属性碳纳米管的电阻率会随温度的变化而发生改变。利用碳纳米管电阻率随温度变化的性质，本专利提出了一种能够利用碳纳米管-电极作为温度传感单元的具有低能耗、高灵敏度的传感器芯片结构，该传感器芯片在2mm×2mm的区域内集成了8个独立温度传感单元。所述温度传感器芯片结构，可以利用介电泳技术实现碳纳米管在微电极阵列上的装配，形成碳纳米管-金属电极的温度传感单元，并最终形成碳纳米管温度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电极 结构 基于 温度传感器 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管-电极结构，其特征在于：包括基底、碳纳米管、电极，所述电极成对设置在基底上，所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。
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