[实用新型]超临界二氧化碳涂胶系统有效

专利信息
申请号: 200920313385.1 申请日: 2009-10-27
公开(公告)号: CN201569851U 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 王磊;景玉鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种超临界二氧化碳涂胶系统,属于半导体技术领域。所述系统包括:储料装置,至少包括容纳二氧化碳的第一存储罐和容纳光刻胶的第二存储罐;超临界二氧化碳涂胶腔,包括腔体;喷射二氧化碳和光刻胶的喷头,喷头位于腔体内,并通过控制二氧化碳和光刻胶喷射的泵连通至腔体外的储料装置;以及支承硅片的支架,支架位于腔体内且位于喷头下方;分别与腔体连通的温度控制装置和压力检测装置。利用本系统,能够形成厚度均匀、附着力强的薄膜,并且工艺简化、设备和环境要求不高;同时,使用的超临界二氧化碳化学稳定性好,表面张力几乎为零,且对环境无污染。
搜索关键词: 临界 二氧化碳 涂胶 系统
【主权项】:
一种超临界二氧化碳涂胶系统,其特征在于,所述系统包括:储料装置,所述储料装置至少包括容纳二氧化碳的第一存储罐和容纳光刻胶的第二存储罐;超临界二氧化碳涂胶腔,其包括:腔体;喷射二氧化碳和光刻胶的喷头,所述喷头位于所述腔体内,并通过控制二氧化碳和光刻胶喷射的泵连通至所述腔体外的所述储料装置;以及支承硅片的支架,所述支架位于所述腔体内且位于所述喷头的下方;分别与所述腔体连通的温度控制装置和压力检测装置。
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