[实用新型]一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈无效
| 申请号： | 200920351265.0 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN201620202U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 庞炳远;闫萍;张殿朝;索开南 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人： | 郭禾 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，所述线圈为平板单匝结构，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶，从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小，第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度，所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。对于直径在2英寸附近的48～53mm范围内的真空区熔硅单晶的生长，本实用新型电磁场能量对称性的提高和硅内热场的均匀分布能有效使硅单晶稳定性的成晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 真空 区熔硅单晶 加热 线圈 | ||
【主权项】：
一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈，其特征在于，所述线圈为平板单匝结构，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，在所述线圈骨架的上表面设有三级台阶，从第一级台阶至第三级台阶的所在圆的直径逐级减小，第三级台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度，所述线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。
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