[发明专利]氮化物基发光装置的主基板有效
| 申请号： | 200980000035.2 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101681975A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 林立旻;谢斌;袁述 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板及其制作方法。依照一个实施例，本方法包括步骤：提供一个硅层；在硅层上蚀刻一个孔图案；在硅层上电镀铜以填满硅层上形成的孔；将硅层键合到一个氮化镓(GaN)层上，而GaN层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层；去除蓝宝石基板。该主基板解决了热膨胀系数(CTE)不匹配的问题，并减小了由这种CTE不匹配引起的应力。金属和半导体材料的组合能够提供期望的导热和导电性能，同时能够随后切割并集成该成品半导体装置到其它电路里。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 装置 主基板 | ||
【主权项】：
1.一种制作用于氮化物基薄膜半导体装置的主基板的方法，此方法包括：提供一个半导体层；在半导体层上蚀刻一个孔图案；在半导体层上电镀金属以填满半导体层上形成的孔；将半导体层键合到一个氮化镓(GaN)层，而GaN层是外延生长在蓝宝石基板上的外延层；和去除蓝宝石基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港应用科技研究院有限公司，未经香港应用科技研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980000035.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：喷墨记录装置
- 下一篇：一种综合业务管理平台及其业务订购方法
