[发明专利]半导体元件无效

专利信息
申请号: 200980000533.7 申请日: 2009-05-11
公开(公告)号: CN101689565A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 内田正雄;宇都宫和哉;桥本浩一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/812
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供采用裁切半导体基板(11)形成的半导体元件,各单元(10)具备:形成在裁切半导体基板(11)的表面上的第1半导体层(12);形成在第1半导体层(12)上、具有露出第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)的至少一部分的开口部(16e)的第2半导体层(16);位于第2半导体层(16)的开口部(16e)、具有与第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)接触的导电面(19s)的第1导电体(19);以及形成在第2半导体层(16)上、具有与第2半导体层(16)的开口部(16s)对应的开口部(18e)的第2导电体(17),在与裁切半导体基板(11)表面平行的面中,沿着裁切方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值大于沿着与裁切方向垂直的方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
1.一种半导体元件,具有采用裁切半导体基板形成的多个单元,该裁切半导体基板具有使结晶面在规定的裁切方向上倾斜的表面,其中,各单元具有:第1半导体层,其形成在上述裁切半导体基板的上述表面上;第1导电区域,其形成在上述第1半导体层的表面上,具有第1导电型;第2导电区域,其在上述第1半导体层的上述表面中形成于上述第1导电区域的周围,具有与上述第1导电型不同的第2导电型;第2半导体层,其形成在上述第1半导体层上,具有露出上述第1导电区域、以及上述第2导电区域的至少一部分的开口部;第1导电体,其位于上述第2半导体层的开口部,具有与上述第1导电区域以及第2导电区域接触的导电面;以及第2导电体,其形成在上述第2半导体层上,具有与上述第2半导体层的上述开口部对应的开口部,在与上述裁切半导体基板的表面平行的面中,沿着上述裁切方向的上述第2半导体层和上述第2导电体的长度差的绝对值ty大于沿着与上述裁切方向垂直的方向的上述第2半导体层和上述第2导电体的长度差的绝对值tx,当将沿着上述裁切方向的上述第1导电体的上述导电面的长度和上述第2半导体层的上述开口部的长度之差的绝对值设为sy,将沿着与上述裁切方向垂直的方向的上述第1导电体的上述导电面的长度和上述第2半导体层的上述开口部的长度之差的绝对值设为sx时,ty-tx>sy-sx。
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