[发明专利]等离子体处理的光伏器件无效
| 申请号： | 200980100068.4 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101861213A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 大卫·伊格尔沙姆;安克·阿肯 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/12 | 分类号： | B05D5/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造薄膜光伏器件的方法包括：在基底上沉积第一化合物半导体层，并使该器件暴露于等离子体，等离子体处理该层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 器件 | ||
【主权项】：
一种制造薄膜光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上沉积化合物半导体层；使所述器件暴露于等离子体，等离子体处理所述层。
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