[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980100250.X | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101790780A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 松尾隆广;古泽彰男;酒谷茂昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有：模焊盘(3)，由在表面形成第1焊锡接合层的金属构成；和半导体元件(5)，在该模焊盘(3)的第1焊锡接合层(11)上，由以铋为主成分的焊锡材料(9)固接而成。第1焊锡接合层(11)，由比焊锡材料(9)更软的材料构成；在第1焊锡接合层(11)的一部分中，形成由焊锡材料(9)被按压而成的凹陷部分(11a)，焊锡材料(9)的一部分，填充至凹陷部分(11a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：模焊盘，由在表面形成第1焊锡接合层的金属构成；和半导体元件，由以铋为主要成分的焊锡材料固定在所述模焊盘的所述第1焊锡接合层上，所述第1焊锡接合层，由比所述焊锡材料更软的材料构成；在所述第1焊锡接合层的一部分中，形成由所述焊锡材料被按压而成的凹陷部分，所述焊锡材料的一部分填充至所述凹陷部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
