[发明专利]电子照相显影构件、其生产方法、电子照相处理盒和电子照相图像形成设备有效
申请号: | 200980100433.1 | 申请日: | 2009-01-29 |
公开(公告)号: | CN101802722A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 河村邦正;山本有洋;石田和稔;中村实 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/08 | 分类号: | G03G15/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开一种电子照相显影构件,所述电子照相显影构件能够同时实现抑制显影剂固着和抑制由抵接构件导致的变形并能够长时间稳定地形成图像。所述电子照相显影构件的特征在于满足由下式(1)至(3)表示的关系:(1)C3<C2<C1,(2)C3×1.3≤C1≤C3×5.0,和(3)2.0×10-4≤C3≤7.0×10-4,其中C1表示在距表面层表面深度为100nm的区域内的平均交联密度,mol/cm3;C2表示在距表面层表面深度为100nm至200nm的区域内的平均交联密度,mol/cm3;C3表示在距表面层表面深度为深度200nm至300nm的区域内的平均交联密度,mol/cm3。 | ||
搜索关键词: | 电子 照相 显影 构件 生产 方法 处理 图像 形成 设备 | ||
【主权项】:
一种电子照相显影构件,其包括芯轴和设置于所述芯轴外周面上的表面层,所述表面层包含聚氨酯树脂,其中;所述表面层满足以下表达式(1)至(3),其中在距所述表面层表面直至深度100nm、深度100nm至200nm和深度200nm至300nm的各区域内的平均交联密度分别由C1、C2和C3(mol/cm3)表示:(1)C3<C2<C1;(2)C3×1.3≤C1≤C3×5.0;和(3)2.0×10-4≤C3≤7.0×10-4。
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