[发明专利]柔性半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980100562.0 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102742013A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 平野浩一;中谷诚一;小川立夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明中，提供用于制造柔性半导体装置的方法。本发明的制造方法，其特征在于，包括：(i)在树脂薄膜的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在树脂薄膜的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与取出电极图形接触的方式在绝缘膜上形成半导体层的工序、(iv)按照覆盖半导体层及取出电极图形的方式在树脂薄膜的上面形成密封树脂层的工序；利用印刷法，进行所述(i)～(iv)的至少一个形成工序。在所述制造方法中，能够在不使用真空工艺或光刻法等的情况下，利用简易的印刷工艺来形成各种层。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体装置的制造方法，其是用于制造柔性半导体装置的方法，其特征在于，包括：(i)在树脂薄膜的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在所述树脂薄膜的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与所述取出电极图形接触的方式在所述绝缘膜上形成半导体层的工序、和(iv)按照覆盖所述半导体层及所述取出电极图形的方式在所述树脂薄膜的上面形成密封树脂层的工序；利用印刷法，进行所述(i)～(iv)的至少一个形成工序。
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