[发明专利]等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质无效
申请号: | 200980100651.5 | 申请日: | 2009-01-30 |
公开(公告)号: | CN101821837A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 伊藤融;川上雅人;永关澄江;传宝一树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质,其能够确定电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件。在真空容器内,阶段性地改变从包括电负性气体和电正性气体的流量比、上述真空容器内的压力、以及使上述电负性气体和电正性气体等离子体化时的能量的大小的处理条件的参数中选择的参数,基于至少三种以上的处理条件生成等离子体。接着,对位于该等离子体中的朗缪尔探针施加电压,按各个处理条件取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的电流电压曲线。然后,基于所取得的上述电流电压曲线组求取电正性等离子体区域和电负性等离子体区域的边界的处理条件。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 测定 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种等离子体测定方法,其将包含电负性气体和电正性气体的等离子体生成用气体供给到真空容器内,向该等离子体生成用气体供给能量从而在真空容器内生成等离子体,利用位于等离子体气体中的朗缪尔探针对所获得的真空容器内的等离子体的电特性进行测定,该等离子体测定方法的特征在于,包括:阶段性地改变从包括流量比、所述真空容器内的压力和所述能量的大小的处理条件的参数中选择的参数,基于至少三种以上的处理条件生成等离子体的工序,其中,所述流量比是被供给到所述真空容器内的等离子体生成气体中的电负性气体与电正性气体的流量比;对位于等离子体中的朗缪尔探针施加电压,按各处理条件取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的电流电压曲线,从而得到电流电压曲线组的工序;和根据在该工序取得的电流电压曲线组求取电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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