[发明专利]密闭型二次电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200980100841.7 申请日: 2009-06-23
公开(公告)号: CN101952997A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 宫田恭介;福冈孝博;播磨幸男;船见浩司;熊泽诚二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01M2/30 分类号: H01M2/30;B23K26/00;B23K26/04;B23K26/20;H01M2/04;H01M2/26
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及密闭型二次电池及其制造方法,其中,电极组(4)被收纳于电池壳体(5)内,并用封口板(10)将电池壳体(5)的开口部进行封口,所述电极组(4)是将正极板(1)和负极板(2)隔着隔膜(3)层叠或卷绕而成的。从电极组(4)的任一个极板导出的引线(11)通过光斑直径小于该引线(11)厚度的激光(12)与封口板(10)进行激光焊接。
搜索关键词: 密闭 二次 电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种密闭型二次电池,其将正极板和负极板隔着隔膜层叠或卷绕而成的电极组收纳于电池壳体内,并用封口板将该电池壳体的开口部进行封口,所述密闭型二次电池的特征在于:从所述电极组的任一个极板导出的引线通过光斑直径小于该引线厚度的激光与所述封口板进行激光焊接。
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